Electron structure of "oxygen vacancy" defect in SiO2

G. B. Cherlov, S. P. Freidman, A. F. Zatsepin, V. S. Kortov, V. A. Gubanov

Результат исследований: Вклад в журналСтатья

4 Цитирования (Scopus)
Язык оригиналаАнглийский
Страницы (с-по)495-497
Число страниц3
ЖурналSolid State Communications
Том55
Номер выпуска5
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 янв 1985

Предметные области ASJC Scopus

  • Chemistry(all)
  • Condensed Matter Physics
  • Materials Chemistry

Предметные области WoS

  • Химия, Междисциплинарные труды

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Electron structure of "oxygen vacancy" defect in SiO<sub>2</sub>». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать