Electron structure of "oxygen vacancy" defect in SiO2

G. B. Cherlov; S. P. Freidman; A. F. Zatsepin; V. S. Kortov; V. A. Gubanov

doi:10.1016/0038-1098(85)90858-0

Electron structure of "oxygen vacancy" defect in SiO₂

G. B. Cherlov, S. P. Freidman, A. F. Zatsepin, V. S. Kortov, V. A. Gubanov

Результат исследований: Вклад в журнал › Статья › рецензирование

Язык оригинала	Английский
Страницы (с-по)	495-497
Число страниц	3
Журнал	Solid State Communications
Том	55
Номер выпуска	5
DOI	https://doi.org/10.1016/0038-1098(85)90858-0
Состояние	Опубликовано - 1 янв 1985

Предметные области ASJC Scopus

Chemistry(all)
Condensed Matter Physics
Materials Chemistry

Предметные области WoS

Химия, Междисциплинарные труды

Ссылки

10.1016/0038-1098(85)90858-0

Другие файлы и ссылки

Цитировать

@article{ab4c2e2787084e9593d68c4c3e706840,

title = "Electron structure of {"}oxygen vacancy{"} defect in SiO2",

author = "Cherlov, {G. B.} and Freidman, {S. P.} and Zatsepin, {A. F.} and Kortov, {V. S.} and Gubanov, {V. A.}",

year = "1985",

month = jan,

day = "1",

doi = "10.1016/0038-1098(85)90858-0",

language = "English",

volume = "55",

pages = "495--497",

journal = "Solid State Communications",

issn = "0038-1098",

publisher = "Elsevier BV",

number = "5",

}

TY - JOUR

T1 - Electron structure of "oxygen vacancy" defect in SiO2

AU - Cherlov, G. B.

AU - Freidman, S. P.

AU - Zatsepin, A. F.

AU - Kortov, V. S.

AU - Gubanov, V. A.

PY - 1985/1/1

Y1 - 1985/1/1

UR - http://www.scopus.com/inward/record.url?scp=0022111981&partnerID=8YFLogxK

UR - https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=tsmetrics&SrcApp=tsm_test&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&KeyUT=A1985ALF7100026

U2 - 10.1016/0038-1098(85)90858-0

DO - 10.1016/0038-1098(85)90858-0

M3 - Article

AN - SCOPUS:0022111981

VL - 55

SP - 495

EP - 497

JO - Solid State Communications

JF - Solid State Communications

SN - 0038-1098

IS - 5

ER -