Electronic and optical properties of hybrid GaN/por-Si(111) heterostructures

P. Seredin, D. L. Goloshchapov, A. S. Lenshin, A. M. Mizerov, H. Leiste, M. Rinke, D. S. Zolotukhin, I. N Arsent'ev

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

Язык оригиналаАнглийский
Страницы (с-по)545-551
Число страниц7
ЖурналQuantum electronics
Том49
Номер выпуска6
DOI
СостояниеОпубликовано - 2019
СобытиеSymposium on Semiconductor Lasers - Physics and Technology - St Petersburg
Продолжительность: 1 ноя 2018 → …

Ключевые слова

    Предметные области ASJC Scopus

    • Electronic, Optical and Magnetic Materials
    • Atomic and Molecular Physics, and Optics
    • Statistical and Nonlinear Physics
    • Electrical and Electronic Engineering

    Предметные области WoS

    • Технологии, Электро и электронные
    • Физика, Прикладная

    Цитировать

    Seredin, P., Goloshchapov, D. L., Lenshin, A. S., Mizerov, A. M., Leiste, H., Rinke, M., ... Arsent'ev, I. N. (2019). Electronic and optical properties of hybrid GaN/por-Si(111) heterostructures. Quantum electronics, 49(6), 545-551. https://doi.org/10.1070/QEL17036
    Seredin, P. ; Goloshchapov, D. L. ; Lenshin, A. S. ; Mizerov, A. M. ; Leiste, H. ; Rinke, M. ; Zolotukhin, D. S. ; Arsent'ev, I. N. / Electronic and optical properties of hybrid GaN/por-Si(111) heterostructures. В: Quantum electronics. 2019 ; Том 49, № 6. стр. 545-551.
    @article{96ab4586df334e698a5cd32974932f6d,
    title = "Electronic and optical properties of hybrid GaN/por-Si(111) heterostructures",
    keywords = "gallium nitride, nanocolumns, molecular beam epitaxy, porous silicon, optical and electronic properties, MOLECULAR-BEAM EPITAXY, ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES, GAN, FILMS, GROWTH, SUBSTRATE, OVERGROWTH, MORPHOLOGY, SURFACES, FEATURES",
    author = "P. Seredin and Goloshchapov, {D. L.} and Lenshin, {A. S.} and Mizerov, {A. M.} and H. Leiste and M. Rinke and Zolotukhin, {D. S.} and Arsent'ev, {I. N}",
    year = "2019",
    doi = "10.1070/QEL17036",
    language = "English",
    volume = "49",
    pages = "545--551",
    journal = "Quantum electronics",
    issn = "1063-7818",
    publisher = "Turpion Ltd.",
    number = "6",

    }

    Seredin, P, Goloshchapov, DL, Lenshin, AS, Mizerov, AM, Leiste, H, Rinke, M, Zolotukhin, DS & Arsent'ev, IN 2019, 'Electronic and optical properties of hybrid GaN/por-Si(111) heterostructures' Quantum electronics, том. 49, № 6, стр. 545-551. https://doi.org/10.1070/QEL17036

    Electronic and optical properties of hybrid GaN/por-Si(111) heterostructures. / Seredin, P.; Goloshchapov, D. L.; Lenshin, A. S.; Mizerov, A. M.; Leiste, H.; Rinke, M.; Zolotukhin, D. S.; Arsent'ev, I. N.

    В: Quantum electronics, Том 49, № 6, 2019, стр. 545-551.

    Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

    TY - JOUR

    T1 - Electronic and optical properties of hybrid GaN/por-Si(111) heterostructures

    AU - Seredin, P.

    AU - Goloshchapov, D. L.

    AU - Lenshin, A. S.

    AU - Mizerov, A. M.

    AU - Leiste, H.

    AU - Rinke, M.

    AU - Zolotukhin, D. S.

    AU - Arsent'ev, I. N

    PY - 2019

    Y1 - 2019

    KW - gallium nitride

    KW - nanocolumns

    KW - molecular beam epitaxy

    KW - porous silicon

    KW - optical and electronic properties

    KW - MOLECULAR-BEAM EPITAXY

    KW - ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES

    KW - GAN

    KW - FILMS

    KW - GROWTH

    KW - SUBSTRATE

    KW - OVERGROWTH

    KW - MORPHOLOGY

    KW - SURFACES

    KW - FEATURES

    UR - https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=tsmetrics&SrcApp=tsm_test&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&KeyUT=000471829400006

    UR - http://www.scopus.com/inward/record.url?scp=85068991876&partnerID=8YFLogxK

    U2 - 10.1070/QEL17036

    DO - 10.1070/QEL17036

    M3 - Article

    VL - 49

    SP - 545

    EP - 551

    JO - Quantum electronics

    JF - Quantum electronics

    SN - 1063-7818

    IS - 6

    ER -

    Seredin P, Goloshchapov DL, Lenshin AS, Mizerov AM, Leiste H, Rinke M и соавт. Electronic and optical properties of hybrid GaN/por-Si(111) heterostructures. Quantum electronics. 2019;49(6):545-551. https://doi.org/10.1070/QEL17036