Energy spectrum and transport in narrow HgTe quantum wells

A. V. Germanenko, G. M. Minkov, O. E. Rut, A. A. Sherstobitov, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

2 Цитирования (Scopus)
Язык оригиналаАнглийский
Страницы (с-по)39-43
Число страниц5
ЖурналSemiconductors
Том49
Номер выпуска1
DOI
СостояниеОпубликовано - янв 2015

Предметные области ASJC Scopus

  • Condensed Matter Physics
  • Atomic and Molecular Physics, and Optics
  • Electronic, Optical and Magnetic Materials

ГРНТИ

  • 29.00.00 ФИЗИКА

Уровень публикации

  • Перечень ВАК

Цитировать

@article{4c122f5ec1184599908c2605a639b547,
title = "Energy spectrum and transport in narrow HgTe quantum wells",
author = "Germanenko, {A. V.} and Minkov, {G. M.} and Rut, {O. E.} and Sherstobitov, {A. A.} and Dvoretsky, {S. A.} and Mikhailov, {N. N.}",
year = "2015",
month = "1",
doi = "10.1134/S1063782615010108",
language = "English",
volume = "49",
pages = "39--43",
journal = "Semiconductors",
issn = "1063-7826",
publisher = "American Institute of Physics Publising LLC",
number = "1",

}

Energy spectrum and transport in narrow HgTe quantum wells. / Germanenko, A. V.; Minkov, G. M.; Rut, O. E.; Sherstobitov, A. A.; Dvoretsky, S. A.; Mikhailov, N. N.

В: Semiconductors, Том 49, № 1, 01.2015, стр. 39-43.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

TY - JOUR

T1 - Energy spectrum and transport in narrow HgTe quantum wells

AU - Germanenko, A. V.

AU - Minkov, G. M.

AU - Rut, O. E.

AU - Sherstobitov, A. A.

AU - Dvoretsky, S. A.

AU - Mikhailov, N. N.

PY - 2015/1

Y1 - 2015/1

UR - http://www.scopus.com/inward/record.url?scp=84920610676&partnerID=8YFLogxK

UR - http://elibrary.ru/item.asp?id=23963505

UR - https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=tsmetrics&SrcApp=tsm_test&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&KeyUT=000347698500009

U2 - 10.1134/S1063782615010108

DO - 10.1134/S1063782615010108

M3 - Article

VL - 49

SP - 39

EP - 43

JO - Semiconductors

JF - Semiconductors

SN - 1063-7826

IS - 1

ER -