Finite size and intrinsic field effect on the polar-active properties of ferroelectric-semiconductor heterostructures

A. N. Morozovska, E. A. Eliseev, S. V. Svechnikov, A. D. Krutov, V. Y. Shur, A. Y. Borisevich, P. Maksymovych, S. V. Kalinin

Результат исследований: Вклад в журналСтатья

53 Цитирования (Scopus)
Язык оригиналаАнглийский
Номер статьи205308
ЖурналPhysical Review B - Condensed Matter and Materials Physics
Том81
Номер выпуска20
DOI
СостояниеОпубликовано - 7 мая 2010

Предметные области ASJC Scopus

  • Electronic, Optical and Magnetic Materials
  • Condensed Matter Physics

Предметные области WoS

  • Физика, Конденсированных сред

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Finite size and intrinsic field effect on the polar-active properties of ferroelectric-semiconductor heterostructures». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать