Finite size and intrinsic field effect on the polar-active properties of ferroelectric-semiconductor heterostructures

A. N. Morozovska, E. A. Eliseev, S. V. Svechnikov, A. D. Krutov, V. Y. Shur, A. Y. Borisevich, P. Maksymovych, S. V. Kalinin

Отдел оптоэлектроники и полупроводниковой техники
Институт естественных наук и математики

Результат исследований: Вклад в журнал › Статья › рецензирование

55 Цитирования (Scopus)

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «Finite size and intrinsic field effect on the polar-active properties of ferroelectric-semiconductor heterostructures». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Сортировать по:
Вес
В алфавитном порядке

Finite size and intrinsic field effect on the polar-active properties of ferroelectric-semiconductor heterostructures

Fingerprint

Технические дисциплины и материаловедение

Химические соединения

Физика и астрономия