Formation and electron-beam annealing of implantation defects in a thin-film Si-SiO2 heterostructure

A. F. Zatsepin, S. Kaschieva, D. Yu Biryukov, S. N. Dmitriev, E. A. Buntov

Результат исследований: Вклад в журналСтатья

3 Цитирования (Scopus)
Язык оригиналаАнглийский
Страницы (с-по)323-326
Число страниц4
ЖурналTechnical Physics
Том54
Номер выпуска2
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 фев 2009

Предметные области ASJC Scopus

  • Physics and Astronomy (miscellaneous)

Предметные области WoS

  • Физика, Многопрофильные области

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Formation and electron-beam annealing of implantation defects in a thin-film Si-SiO2 heterostructure». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать