HRXRD study of the effect of a nanoporous silicon layer on the epitaxial growth quality of GaN layer on the templates of SiC/por-Si/c-Si

P. V. Seredin, H. Leiste, A. S. Lenshin, A. M. Mizerov

Результат исследований: Вклад в журналСтатья

Язык оригиналаАнглийский
Номер статьи102919
Число страниц3
ЖурналResults in Physics
Том16
DOI
СостояниеОпубликовано - мар 2020

Предметные области ASJC Scopus

  • Physics and Astronomy(all)

Предметные области WoS

  • Материаловедение, Междисциплинарные труды
  • Физика, Многопрофильные области

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «HRXRD study of the effect of a nanoporous silicon layer on the epitaxial growth quality of GaN layer on the templates of SiC/por-Si/c-Si». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать