Influence of a Low-Temperature GaAs Dislocation Filter on the Perfection of GaAs/Si Layers

D. S. Abramkin, M. O. Petrushkov, E. A. Emel’yanov, M. A. Putyato, B. R. Semyagin, A. V. Vasev, M. Yu Esin, I. D. Loshkarev, A. K. Gutakovskii, V. V. Preobrazhenskii, T. S. Shamirzaev

Результат исследований: Вклад в журналСтатья

3 Цитирования (Scopus)
Язык оригиналаАнглийский
Страницы (с-по)181-186
Число страниц6
ЖурналOptoelectronics, Instrumentation and Data Processing
Том54
Номер выпуска2
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 мар 2018

Предметные области ASJC Scopus

  • Instrumentation
  • Condensed Matter Physics
  • Electrical and Electronic Engineering

Предметные области WoS

  • Физика, Многопрофильные области

ГРНТИ

  • 29.00.00 ФИЗИКА

Уровень публикации

  • Перечень ВАК

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Influence of a Low-Temperature GaAs Dislocation Filter on the Perfection of GaAs/Si Layers». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать