Influence of a Low-Temperature GaAs Dislocation Filter on the Perfection of GaAs/Si Layers

D. S. Abramkin, M. O. Petrushkov, E. A. Emel’yanov, M. A. Putyato, B. R. Semyagin, A. V. Vasev, M. Yu Esin, I. D. Loshkarev, A. K. Gutakovskii, V. V. Preobrazhenskii, T. S. Shamirzaev

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

1 цитирование (Scopus)
Язык оригиналаАнглийский
Страницы (с-по)181-186
Число страниц6
ЖурналOptoelectronics, Instrumentation and Data Processing
Том54
Номер выпуска2
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 мар 2018

Отпечаток

filters
Annealing
Temperature
Heterojunctions
Surface roughness
annealing
Substrates
surface roughness
roughness
temperature

Ключевые слова

    Предметные области ASJC Scopus

    • Instrumentation
    • Condensed Matter Physics
    • Electrical and Electronic Engineering

    Предметные области WoS

    • Физика, Многопрофильные области

    ГРНТИ

    • 29.00.00 ФИЗИКА

    Уровень публикации

    • Перечень ВАК

    Цитировать

    Abramkin, D. S. ; Petrushkov, M. O. ; Emel’yanov, E. A. ; Putyato, M. A. ; Semyagin, B. R. ; Vasev, A. V. ; Esin, M. Yu ; Loshkarev, I. D. ; Gutakovskii, A. K. ; Preobrazhenskii, V. V. ; Shamirzaev, T. S. / Influence of a Low-Temperature GaAs Dislocation Filter on the Perfection of GaAs/Si Layers. В: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 2018 ; Том 54, № 2. стр. 181-186.
    @article{286077f1218e4627b24bd494678bf823,
    title = "Influence of a Low-Temperature GaAs Dislocation Filter on the Perfection of GaAs/Si Layers",
    keywords = "dislocation filter, epitaxy, low-temperature GaAs",
    author = "Abramkin, {D. S.} and Petrushkov, {M. O.} and Emel’yanov, {E. A.} and Putyato, {M. A.} and Semyagin, {B. R.} and Vasev, {A. V.} and Esin, {M. Yu} and Loshkarev, {I. D.} and Gutakovskii, {A. K.} and Preobrazhenskii, {V. V.} and Shamirzaev, {T. S.}",
    year = "2018",
    month = "3",
    day = "1",
    doi = "10.3103/S8756699018020103",
    language = "English",
    volume = "54",
    pages = "181--186",
    journal = "Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing",
    issn = "8756-6990",
    publisher = "Allerton Press Inc.",
    number = "2",

    }

    Abramkin, DS, Petrushkov, MO, Emel’yanov, EA, Putyato, MA, Semyagin, BR, Vasev, AV, Esin, MY, Loshkarev, ID, Gutakovskii, AK, Preobrazhenskii, VV & Shamirzaev, TS 2018, 'Influence of a Low-Temperature GaAs Dislocation Filter on the Perfection of GaAs/Si Layers' Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing, том. 54, № 2, стр. 181-186. https://doi.org/10.3103/S8756699018020103

    Influence of a Low-Temperature GaAs Dislocation Filter on the Perfection of GaAs/Si Layers. / Abramkin, D. S.; Petrushkov, M. O.; Emel’yanov, E. A.; Putyato, M. A.; Semyagin, B. R.; Vasev, A. V.; Esin, M. Yu; Loshkarev, I. D.; Gutakovskii, A. K.; Preobrazhenskii, V. V.; Shamirzaev, T. S.

    В: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing, Том 54, № 2, 01.03.2018, стр. 181-186.

    Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

    TY - JOUR

    T1 - Influence of a Low-Temperature GaAs Dislocation Filter on the Perfection of GaAs/Si Layers

    AU - Abramkin, D. S.

    AU - Petrushkov, M. O.

    AU - Emel’yanov, E. A.

    AU - Putyato, M. A.

    AU - Semyagin, B. R.

    AU - Vasev, A. V.

    AU - Esin, M. Yu

    AU - Loshkarev, I. D.

    AU - Gutakovskii, A. K.

    AU - Preobrazhenskii, V. V.

    AU - Shamirzaev, T. S.

    PY - 2018/3/1

    Y1 - 2018/3/1

    KW - dislocation filter

    KW - epitaxy

    KW - low-temperature GaAs

    UR - http://www.scopus.com/inward/record.url?scp=85048267429&partnerID=8YFLogxK

    UR - https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=tsmetrics&SrcApp=tsm_test&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&KeyUT=000434909900010

    UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=35745708

    U2 - 10.3103/S8756699018020103

    DO - 10.3103/S8756699018020103

    M3 - Article

    VL - 54

    SP - 181

    EP - 186

    JO - Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing

    JF - Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing

    SN - 8756-6990

    IS - 2

    ER -

    Abramkin DS, Petrushkov MO, Emel’yanov EA, Putyato MA, Semyagin BR, Vasev AV и соавт. Influence of a Low-Temperature GaAs Dislocation Filter on the Perfection of GaAs/Si Layers. Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 2018 Март 1;54(2):181-186. https://doi.org/10.3103/S8756699018020103