Insulator-quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures

A. P. Savelyev, S. V. Gudina, Yu G. Arapov, V. N. Neverov, S. M. Podgonykh, M. V. Yakunin

Результат исследований: Вклад в журналСтатья

2 Цитирования (Scopus)
Язык оригиналаАнглийский
Страницы (с-по)491-494
Число страниц4
ЖурналLow Temperature Physics
Том43
Номер выпуска4
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 апр 2017

Предметные области ASJC Scopus

  • Physics and Astronomy (miscellaneous)
  • Physics and Astronomy(all)

Предметные области WoS

  • Физика, Прикладная

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Insulator-quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать