Joint effect of temperature and voltage rise rate on the switching process of Si thyristors triggered in impact ionization wave mode

Anton Gusev, Sergei Rukin, Sergei Tsyranov, Olga Perminova, Sergei Lyubutin, Boris Slovikovsky

Результат исследований: Вклад в журналСтатьярецензирование

2 Цитирования (Scopus)
Язык оригиналаАнглийский
Номер статьи115012
Число страниц10
ЖурналSemiconductor Science and Technology
Том33
Номер выпуска11
DOI
СостояниеОпубликовано - ноя 2018

Предметные области ASJC Scopus

  • Materials Chemistry
  • Electrical and Electronic Engineering
  • Condensed Matter Physics
  • Electronic, Optical and Magnetic Materials

Предметные области WoS

  • Технологии, Электротехника и электроника
  • Материаловедение, Междисциплинарные труды
  • Физика, Конденсированных сред

Цитировать