Kelvin force and Raman microscopies of flat SiGe structures with different compositions grown on Si(111) at high temperatures

A. A. Shklyaev, L. Bolotov, V. Poborchii, T. Tada, K. N. Romanyuk

Результат исследований: Вклад в журналСтатья

2 Цитирования (Scopus)
Язык оригиналаАнглийский
Страницы (с-по)107-114
Число страниц8
ЖурналMaterials Science in Semiconductor Processing
Том83
DOI
СостояниеОпубликовано - 15 авг 2018

Предметные области ASJC Scopus

  • Condensed Matter Physics
  • Mechanics of Materials
  • Mechanical Engineering
  • Materials Science(all)

Предметные области WoS

  • Технологии, Электротехника и электроника
  • Материаловедение, Междисциплинарные труды
  • Физика, Конденсированных сред
  • Физика, Прикладная

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Kelvin force and Raman microscopies of flat SiGe structures with different compositions grown on Si(111) at high temperatures». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать