Kelvin force and Raman microscopies of flat SiGe structures with different compositions grown on Si(111) at high temperatures

A. A. Shklyaev, L. Bolotov, V. Poborchii, T. Tada, K. N. Romanyuk

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

1 цитирование (Scopus)
Язык оригиналаАнглийский
Страницы (с-по)107-114
Число страниц8
ЖурналMaterials Science in Semiconductor Processing
Том83
DOI
СостояниеОпубликовано - 15 авг 2018

Отпечаток

Microscopic examination
microscopy
Chemical analysis
Heterojunctions
spatial resolution
Temperature
Surface potential
Substrates
drying
Nanowires
Raman spectroscopy
heterojunctions
surface layers
nanowires
solid state
high resolution

Ключевые слова

    Предметные области ASJC Scopus

    • Materials Science(all)
    • Condensed Matter Physics
    • Mechanics of Materials
    • Mechanical Engineering

    Предметные области WoS

    • Технологии, Электротехника и электроника
    • Материаловедение, Междисциплинарные труды
    • Физика, Прикладная
    • Физика, Конденсированных сред

    Цитировать

    @article{70c858163b9c4d77b5aa31959d3df34f,
    title = "Kelvin force and Raman microscopies of flat SiGe structures with different compositions grown on Si(111) at high temperatures",
    keywords = "High-temperature growth, Kelvin force microscopy, Lateral Si/Ge heterostructures, Raman microscopy, Surface potential distribution",
    author = "Shklyaev, {A. A.} and L. Bolotov and V. Poborchii and T. Tada and Romanyuk, {K. N.}",
    year = "2018",
    month = "8",
    day = "15",
    doi = "10.1016/j.mssp.2018.04.026",
    language = "English",
    volume = "83",
    pages = "107--114",
    journal = "Materials Science in Semiconductor Processing",
    issn = "1369-8001",
    publisher = "Elsevier",

    }

    Kelvin force and Raman microscopies of flat SiGe structures with different compositions grown on Si(111) at high temperatures. / Shklyaev, A. A.; Bolotov, L.; Poborchii, V.; Tada, T.; Romanyuk, K. N.

    В: Materials Science in Semiconductor Processing, Том 83, 15.08.2018, стр. 107-114.

    Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

    TY - JOUR

    T1 - Kelvin force and Raman microscopies of flat SiGe structures with different compositions grown on Si(111) at high temperatures

    AU - Shklyaev, A. A.

    AU - Bolotov, L.

    AU - Poborchii, V.

    AU - Tada, T.

    AU - Romanyuk, K. N.

    PY - 2018/8/15

    Y1 - 2018/8/15

    KW - High-temperature growth

    KW - Kelvin force microscopy

    KW - Lateral Si/Ge heterostructures

    KW - Raman microscopy

    KW - Surface potential distribution

    UR - http://www.scopus.com/inward/record.url?scp=85046080436&partnerID=8YFLogxK

    UR - https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=tsmetrics&SrcApp=tsm_test&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&KeyUT=000433236200016

    UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=35523424

    U2 - 10.1016/j.mssp.2018.04.026

    DO - 10.1016/j.mssp.2018.04.026

    M3 - Article

    VL - 83

    SP - 107

    EP - 114

    JO - Materials Science in Semiconductor Processing

    JF - Materials Science in Semiconductor Processing

    SN - 1369-8001

    ER -