| Язык оригинала | Английский |
|---|---|
| Страницы (с-по) | 107-114 |
| Число страниц | 8 |
| Журнал | Materials Science in Semiconductor Processing |
| Том | 83 |
| DOI | |
| Состояние | Опубликовано - 15 авг 2018 |
Отпечаток
Ключевые слова
Предметные области ASJC Scopus
- Materials Science(all)
- Condensed Matter Physics
- Mechanics of Materials
- Mechanical Engineering
Предметные области WoS
- Технологии, Электротехника и электроника
- Материаловедение, Междисциплинарные труды
- Физика, Прикладная
- Физика, Конденсированных сред
Цитировать
}
Kelvin force and Raman microscopies of flat SiGe structures with different compositions grown on Si(111) at high temperatures. / Shklyaev, A. A.; Bolotov, L.; Poborchii, V.; Tada, T.; Romanyuk, K. N.
В: Materials Science in Semiconductor Processing, Том 83, 15.08.2018, стр. 107-114.Результат исследований: Вклад в журнал › Статья › Научно-исследовательская › рецензирование
TY - JOUR
T1 - Kelvin force and Raman microscopies of flat SiGe structures with different compositions grown on Si(111) at high temperatures
AU - Shklyaev, A. A.
AU - Bolotov, L.
AU - Poborchii, V.
AU - Tada, T.
AU - Romanyuk, K. N.
PY - 2018/8/15
Y1 - 2018/8/15
KW - High-temperature growth
KW - Kelvin force microscopy
KW - Lateral Si/Ge heterostructures
KW - Raman microscopy
KW - Surface potential distribution
UR - http://www.scopus.com/inward/record.url?scp=85046080436&partnerID=8YFLogxK
UR - https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=tsmetrics&SrcApp=tsm_test&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&KeyUT=000433236200016
UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=35523424
U2 - 10.1016/j.mssp.2018.04.026
DO - 10.1016/j.mssp.2018.04.026
M3 - Article
VL - 83
SP - 107
EP - 114
JO - Materials Science in Semiconductor Processing
JF - Materials Science in Semiconductor Processing
SN - 1369-8001
ER -