Язык оригиналаАнглийский
Страницы (с-по)1199-1200
Число страниц2
ЖурналSemiconductors
Том26
Номер выпуска12
СостояниеОпубликовано - дек 1992

Предметные области WoS

  • Физика, Конденсированных сред

Цитировать

@article{b9342725109b46ae97e508ded937a486,
title = "LANGMUIR-BLODGETT-FILM AS AN INSULATOR IN AN MIS TRANSISTOR MADE FROM CDXHG1-XTE",
author = "Germanenko, {A. V.} and Larionova, {V. A.} and Minkov, {G. M.} and Rut, {O. E.}",
year = "1992",
month = "12",
language = "English",
volume = "26",
pages = "1199--1200",
journal = "Semiconductors",
issn = "1063-7826",
publisher = "American Institute of Physics Publising LLC",
number = "12",

}

LANGMUIR-BLODGETT-FILM AS AN INSULATOR IN AN MIS TRANSISTOR MADE FROM CDXHG1-XTE. / Germanenko, A. V.; Larionova, V. A.; Minkov, G. M.; Rut, O. E.

В: Semiconductors, Том 26, № 12, 12.1992, стр. 1199-1200.

Результат исследований: Вклад в журналКомментарий/ДебатыНаучно-исследовательскаярецензирование

TY - JOUR

T1 - LANGMUIR-BLODGETT-FILM AS AN INSULATOR IN AN MIS TRANSISTOR MADE FROM CDXHG1-XTE

AU - Germanenko, A. V.

AU - Larionova, V. A.

AU - Minkov, G. M.

AU - Rut, O. E.

PY - 1992/12

Y1 - 1992/12

UR - https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=tsmetrics&SrcApp=tsm_test&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&KeyUT=A1992KQ46500019

M3 - Comment/debate

VL - 26

SP - 1199

EP - 1200

JO - Semiconductors

JF - Semiconductors

SN - 1063-7826

IS - 12

ER -