MECHANISM OF BAND GAP VARIATION IN HEAVILY DOPED GALLIUM ARSENIDE.

Результат исследований: Вклад в журналСтатья

14 Цитирования (Scopus)
Язык оригиналаАнглийский
Страницы (с-по)603-605
Число страниц3
ЖурналSemiconductors
Том11
Номер выпуска6
СостояниеОпубликовано - 1 янв 1977

Предметные области ASJC Scopus

  • Engineering(all)

Предметные области WoS

  • Физика, Конденсированных сред

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «MECHANISM OF BAND GAP VARIATION IN HEAVILY DOPED GALLIUM ARSENIDE.». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать