MECHANISM OF BAND GAP VARIATION IN HEAVILY DOPED GALLIUM ARSENIDE.

L. P. Zverev; S. A. Negashev; V. V. Kruzhaev; G. M. Min'kov

MECHANISM OF BAND GAP VARIATION IN HEAVILY DOPED GALLIUM ARSENIDE.

L. P. Zverev, S. A. Negashev, V. V. Kruzhaev, G. M. Min'kov

Результат исследований: Вклад в журнал › Статья

Язык оригинала	Английский
Страницы (с-по)	603-605
Число страниц	3
Журнал	Semiconductors
Том	11
Номер выпуска	6
Состояние	Опубликовано - 1 янв 1977

Предметные области ASJC Scopus

Engineering(all)

Предметные области WoS

Физика, Конденсированных сред

Ссылки

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «MECHANISM OF BAND GAP VARIATION IN HEAVILY DOPED GALLIUM ARSENIDE.». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать

@article{d11e13b3c95f4da281b51625b4aaf2f2,

title = "MECHANISM OF BAND GAP VARIATION IN HEAVILY DOPED GALLIUM ARSENIDE.",

author = "Zverev, {L. P.} and Negashev, {S. A.} and Kruzhaev, {V. V.} and Min'kov, {G. M.}",

year = "1977",

month = jan,

day = "1",

language = "English",

volume = "11",

pages = "603--605",

journal = "Semiconductors",

issn = "1063-7826",

publisher = "American Institute of Physics Publising LLC",

number = "6",

}

TY - JOUR

T1 - MECHANISM OF BAND GAP VARIATION IN HEAVILY DOPED GALLIUM ARSENIDE.

AU - Zverev, L. P.

AU - Negashev, S. A.

AU - Kruzhaev, V. V.

AU - Min'kov, G. M.

PY - 1977/1/1

Y1 - 1977/1/1

UR - http://www.scopus.com/inward/record.url?scp=0017500744&partnerID=8YFLogxK

UR - https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=tsmetrics&SrcApp=tsm_test&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&KeyUT=A1977EC19900001

M3 - Article

AN - SCOPUS:0017500744

VL - 11

SP - 603

EP - 605

JO - Semiconductors

JF - Semiconductors

SN - 1063-7826

IS - 6

ER -