Mechanism of quantum dot luminescence excitation within implanted SiO 2: Si:C films

A. F. Zatsepin, E. A. Buntov, V. S. Kortov, D. I. Tetelbaum, A. N. Mikhaylov, A. I. Belov

Результат исследований: Вклад в журналСтатья

9 Цитирования (Scopus)
Язык оригиналаАнглийский
Номер статьи045301
ЖурналJournal of Physics Condensed Matter
Том24
Номер выпуска4
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 фев 2012

Предметные области ASJC Scopus

  • Condensed Matter Physics
  • Materials Science(all)

Предметные области WoS

  • Физика, Конденсированных сред

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Mechanism of quantum dot luminescence excitation within implanted SiO <sub>2: </sub>Si:C films». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать