NEGATIVE MAGNETORESISTANCE OF HEAVILY DOPED COMPENSATED P-TYPE HG1-XMNXTE

Результат исследований: Вклад в журналКомментарий/ДебатыНаучно-исследовательскаярецензирование

Язык оригиналаАнглийский
Страницы (с-по)85-86
Число страниц2
ЖурналSoviet physics. Semiconductors
Том20
Номер выпуска1
СостояниеОпубликовано - янв 1986

Предметные области WoS

  • Физика, Конденсированных сред

Цитировать

@article{1d45cfcef121432db89366ada214ff2a,
title = "NEGATIVE MAGNETORESISTANCE OF HEAVILY DOPED COMPENSATED P-TYPE HG1-XMNXTE",
author = "Germanenko, {A. V.} and Kruzhaev, {V. V.} and Minkov, {G. M.}",
year = "1986",
month = "1",
language = "English",
volume = "20",
pages = "85--86",
journal = "Semiconductors",
issn = "1063-7826",
publisher = "American Institute of Physics Publising LLC",
number = "1",

}

NEGATIVE MAGNETORESISTANCE OF HEAVILY DOPED COMPENSATED P-TYPE HG1-XMNXTE. / Germanenko, A. V.; Kruzhaev, V. V.; Minkov, G. M.

В: Soviet physics. Semiconductors, Том 20, № 1, 01.1986, стр. 85-86.

Результат исследований: Вклад в журналКомментарий/ДебатыНаучно-исследовательскаярецензирование

TY - JOUR

T1 - NEGATIVE MAGNETORESISTANCE OF HEAVILY DOPED COMPENSATED P-TYPE HG1-XMNXTE

AU - Germanenko, A. V.

AU - Kruzhaev, V. V.

AU - Minkov, G. M.

PY - 1986/1

Y1 - 1986/1

UR - https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=tsmetrics&SrcApp=tsm_test&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&KeyUT=A1986C348600027

M3 - Comment/debate

VL - 20

SP - 85

EP - 86

JO - Semiconductors

JF - Semiconductors

SN - 1063-7826

IS - 1

ER -