Nonohmic conductance and mechanisms of energy relaxation in 2D electron Gas in GaAs/InGaAs/GaAs heterostructures

Результат исследований: Вклад в журналСтатья

1 Цитирования (Scopus)
Язык оригиналаАнглийский
Страницы (с-по)221-225
Число страниц5
ЖурналSemiconductors
Том39
Номер выпуска2
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 янв 2005

Предметные области ASJC Scopus

  • Electronic, Optical and Magnetic Materials
  • Atomic and Molecular Physics, and Optics
  • Condensed Matter Physics

Предметные области WoS

  • Физика, Конденсированных сред

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Nonohmic conductance and mechanisms of energy relaxation in 2D electron Gas in GaAs/InGaAs/GaAs heterostructures». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать