| Язык оригинала | Английский |
|---|---|
| Страницы (с-по) | 221-225 |
| Число страниц | 5 |
| Журнал | Semiconductors |
| Том | 39 |
| Номер выпуска | 2 |
| DOI | |
| Состояние | Опубликовано - 1 янв 2005 |
Отпечаток
Предметные области ASJC Scopus
- Electronic, Optical and Magnetic Materials
- Atomic and Molecular Physics, and Optics
- Condensed Matter Physics
Предметные области WoS
- Физика, Конденсированных сред
Цитировать
}
Nonohmic conductance and mechanisms of energy relaxation in 2D electron Gas in GaAs/InGaAs/GaAs heterostructures. / Sherstobitov, A. A.; Min'Kov, G. M.; Rut, O. E.; Germanenko, A. V.; Zvonkov, B. N.
В: Semiconductors, Том 39, № 2, 01.01.2005, стр. 221-225.Результат исследований: Вклад в журнал › Статья › Научно-исследовательская › рецензирование
TY - JOUR
T1 - Nonohmic conductance and mechanisms of energy relaxation in 2D electron Gas in GaAs/InGaAs/GaAs heterostructures
AU - Sherstobitov, A. A.
AU - Min'Kov, G. M.
AU - Rut, O. E.
AU - Germanenko, A. V.
AU - Zvonkov, B. N.
PY - 2005/1/1
Y1 - 2005/1/1
UR - http://www.scopus.com/inward/record.url?scp=17044428967&partnerID=8YFLogxK
UR - https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=tsmetrics&SrcApp=tsm_test&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&KeyUT=000227185400012
U2 - 10.1134/1.1864203
DO - 10.1134/1.1864203
M3 - Article
VL - 39
SP - 221
EP - 225
JO - Semiconductors
JF - Semiconductors
SN - 1063-7826
IS - 2
ER -