Nonohmic conductance and mechanisms of energy relaxation in 2D electron Gas in GaAs/InGaAs/GaAs heterostructures

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

1 цитирование (Scopus)
Язык оригиналаАнглийский
Страницы (с-по)221-225
Число страниц5
ЖурналSemiconductors
Том39
Номер выпуска2
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 янв 2005

Отпечаток

Electron gas
electron gas
Heterojunctions
Carrier concentration
Phonons
phonons
momentum
Momentum
Temperature
energy
Electron scattering
temperature
electron scattering
Acoustics
heating
acoustics
gallium arsenide
Heating
predictions

Предметные области ASJC Scopus

  • Electronic, Optical and Magnetic Materials
  • Atomic and Molecular Physics, and Optics
  • Condensed Matter Physics

Предметные области WoS

  • Физика, Конденсированных сред

Цитировать

@article{648e208b665641db9ab36696149bd5a0,
title = "Nonohmic conductance and mechanisms of energy relaxation in 2D electron Gas in GaAs/InGaAs/GaAs heterostructures",
author = "Sherstobitov, {A. A.} and Min'Kov, {G. M.} and Rut, {O. E.} and Germanenko, {A. V.} and Zvonkov, {B. N.}",
year = "2005",
month = "1",
day = "1",
doi = "10.1134/1.1864203",
language = "English",
volume = "39",
pages = "221--225",
journal = "Semiconductors",
issn = "1063-7826",
publisher = "American Institute of Physics Publising LLC",
number = "2",

}

Nonohmic conductance and mechanisms of energy relaxation in 2D electron Gas in GaAs/InGaAs/GaAs heterostructures. / Sherstobitov, A. A.; Min'Kov, G. M.; Rut, O. E.; Germanenko, A. V.; Zvonkov, B. N.

В: Semiconductors, Том 39, № 2, 01.01.2005, стр. 221-225.

Результат исследований: Вклад в журналСтатьяНаучно-исследовательскаярецензирование

TY - JOUR

T1 - Nonohmic conductance and mechanisms of energy relaxation in 2D electron Gas in GaAs/InGaAs/GaAs heterostructures

AU - Sherstobitov, A. A.

AU - Min'Kov, G. M.

AU - Rut, O. E.

AU - Germanenko, A. V.

AU - Zvonkov, B. N.

PY - 2005/1/1

Y1 - 2005/1/1

UR - http://www.scopus.com/inward/record.url?scp=17044428967&partnerID=8YFLogxK

UR - https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=tsmetrics&SrcApp=tsm_test&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&KeyUT=000227185400012

U2 - 10.1134/1.1864203

DO - 10.1134/1.1864203

M3 - Article

VL - 39

SP - 221

EP - 225

JO - Semiconductors

JF - Semiconductors

SN - 1063-7826

IS - 2

ER -