Nonuniversal Scaling Behavior of Conductivity Peak Widths in the Quantum Hall Effect in InGaAs/InAlAs Structures

S. V. Gudina, Yu G. Arapov, V. N. Neverov, A. P. Savelyev, S. M. Podgornykh, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, A. N. Vinichenko, I. S. Vasil’evskii

Результат исследований: Вклад в журналСтатья

1 Цитирования (Scopus)
Язык оригиналаАнглийский
Страницы (с-по)1551-1558
Число страниц8
ЖурналSemiconductors
Том52
Номер выпуска12
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 дек 2018

Предметные области ASJC Scopus

  • Electronic, Optical and Magnetic Materials
  • Atomic and Molecular Physics, and Optics
  • Condensed Matter Physics

Предметные области WoS

  • Физика, Конденсированных сред

ГРНТИ

  • 29.00.00 ФИЗИКА

Уровень публикации

  • Перечень ВАК

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Nonuniversal Scaling Behavior of Conductivity Peak Widths in the Quantum Hall Effect in InGaAs/InAlAs Structures». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать