Parametric layout cell design of N-MOS transistor with enhanced radiation hardened properties

A. R. Serazetdinov, E. V. Atkin, K. O. Khokhlov

Результат исследований: Глава в книге, отчете, сборнике статейМатериалы конференции

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Parametric layout cell design of N-MOS transistor with enhanced radiation hardened properties». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Физика и астрономия