Structural and Morphological Properties of Hybrid Heterostructures Based on GaN Grown on a Compliant por-Si(111) Substrate

P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Lenshin, A. M. Mizerov, I. N. Arsentyev, Harald Leiste, Monika Rinke

Результат исследований: Вклад в журналСтатья

Язык оригиналаАнглийский
Страницы (с-по)1120-1130
Число страниц11
ЖурналSemiconductors
Том53
Номер выпуска8
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 авг 2019

Предметные области ASJC Scopus

  • Electronic, Optical and Magnetic Materials
  • Condensed Matter Physics
  • Atomic and Molecular Physics, and Optics

Предметные области WoS

  • Физика, Конденсированных сред

Уровень публикации

  • Перечень ВАК

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Structural and Morphological Properties of Hybrid Heterostructures Based on GaN Grown on a Compliant por-Si(111) Substrate». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать