Structural-spectroscopic study of epitaxial GaAs layers grown on compliant substrates based on a superstructural layer and protoporous silicon

P. V. Seredin; D. L. Goloshchapov; I. N. Arsentyev; D. N. Nikolayev; N. A. Pikhtin; S. O. Slipchenko; Harald Leiste; Tatiana Prutskij

doi:10.1016/j.apsusc.2020.147985

Structural-spectroscopic study of epitaxial GaAs layers grown on compliant substrates based on a superstructural layer and protoporous silicon

P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, I. N. Arsentyev, D. N. Nikolayev, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, Harald Leiste, Tatiana Prutskij

Результат исследований: Вклад в журнал › Статья › рецензирование

Язык оригинала	Английский
Номер статьи	147985
Число страниц	13
Журнал	Applied Surface Science
Том	537
DOI	https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2020.147985
Состояние	Опубликовано - 30 янв. 2021

Предметные области ASJC Scopus

Condensed Matter Physics
Physics and Astronomy(all)
Surfaces, Coatings and Films
Chemistry(all)
Surfaces and Interfaces

Предметные области WoS

Химия, Физическая
Материаловедение, Покрытия и пленки
Физика, Прикладная
Физика, Конденсированных сред

Ссылки

10.1016/j.apsusc.2020.147985

Другие файлы и ссылки

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «Structural-spectroscopic study of epitaxial GaAs layers grown on compliant substrates based on a superstructural layer and protoporous silicon». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Физики вырастили полупроводниковые пленки на «податливых» подложках
Павел Владимирович Середин
06/11/2020
1 Материалы средств информации
Пресса/СМИ: другое
Физики вырастили полупроводниковые пленки на «податливых» подложках
Павел Владимирович Середин
02/11/2020
1 Материалы средств информации
Пресса/СМИ: другое

Цитировать

Seredin, P. V., Goloshchapov, D. L., Arsentyev, I. N., Nikolayev, D. N., Pikhtin, N. A., Slipchenko, S. O., Leiste, H., & Prutskij, T. (2021). Structural-spectroscopic study of epitaxial GaAs layers grown on compliant substrates based on a superstructural layer and protoporous silicon. Applied Surface Science, 537, [147985]. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2020.147985

@article{a6b9e60b40d74d29bfd470914bc8275c,

title = "Structural-spectroscopic study of epitaxial GaAs layers grown on compliant substrates based on a superstructural layer and protoporous silicon",

keywords = "(III-V)/Si integration, GaAs, Protoporous silicon, Si, HETEROSTRUCTURES, OPTICAL-PROPERTIES, MORPHOLOGICAL PROPERTIES, FEATURES, RAMAN-SCATTERING, TEMPERATURE, GAN, SI, SURFACE, TECHNOLOGY",

author = "Seredin, {P. V.} and Goloshchapov, {D. L.} and Arsentyev, {I. N.} and Nikolayev, {D. N.} and Pikhtin, {N. A.} and Slipchenko, {S. O.} and Harald Leiste and Tatiana Prutskij",

year = "2021",

month = jan,

day = "30",

doi = "10.1016/j.apsusc.2020.147985",

language = "English",

volume = "537",

journal = "Applied Surface Science",

issn = "0169-4332",

publisher = "Elsevier BV",

}

Structural-spectroscopic study of epitaxial GaAs layers grown on compliant substrates based on a superstructural layer and protoporous silicon. / Seredin, P. V.; Goloshchapov, D. L.; Arsentyev, I. N. и др.

В: Applied Surface Science, Том 537, 147985, 30.01.2021.

Результат исследований: Вклад в журнал › Статья › рецензирование

TY - JOUR

T1 - Structural-spectroscopic study of epitaxial GaAs layers grown on compliant substrates based on a superstructural layer and protoporous silicon

AU - Seredin, P. V.

AU - Goloshchapov, D. L.

AU - Arsentyev, I. N.

AU - Nikolayev, D. N.

AU - Pikhtin, N. A.

AU - Slipchenko, S. O.

AU - Leiste, Harald

AU - Prutskij, Tatiana

PY - 2021/1/30

Y1 - 2021/1/30

KW - (III-V)/Si integration

KW - GaAs

KW - Protoporous silicon

KW - Si

KW - HETEROSTRUCTURES

KW - OPTICAL-PROPERTIES

KW - MORPHOLOGICAL PROPERTIES

KW - FEATURES

KW - RAMAN-SCATTERING

KW - TEMPERATURE

KW - GAN

KW - SI

KW - SURFACE

KW - TECHNOLOGY

UR - http://www.scopus.com/inward/record.url?scp=85091996383&partnerID=8YFLogxK

UR - https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=tsmetrics&SrcApp=tsm_test&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&KeyUT=000582798700078

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=45253096

U2 - 10.1016/j.apsusc.2020.147985

DO - 10.1016/j.apsusc.2020.147985

M3 - Article

AN - SCOPUS:85091996383

VL - 537

JO - Applied Surface Science

JF - Applied Surface Science

SN - 0169-4332

M1 - 147985

ER -

Structural-spectroscopic study of epitaxial GaAs layers grown on compliant substrates based on a superstructural layer and protoporous silicon

Предметные области ASJC Scopus

Предметные области WoS

Ссылки

Другие файлы и ссылки

Fingerprint

Упоминания в прессе

Физики вырастили полупроводниковые пленки на «податливых» подложках

Физики вырастили полупроводниковые пленки на «податливых» подложках

Цитировать