Structural-spectroscopic study of epitaxial GaAs layers grown on compliant substrates based on a superstructural layer and protoporous silicon

P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, I. N. Arsentyev, D. N. Nikolayev, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, Harald Leiste, Tatiana Prutskij

Результат исследований: Вклад в журналСтатья

Язык оригиналаАнглийский
Номер статьи147985
ЖурналApplied Surface Science
Том537
DOI
СостояниеОпубликовано - 30 янв 2021

Предметные области ASJC Scopus

  • Chemistry(all)
  • Condensed Matter Physics
  • Physics and Astronomy(all)
  • Surfaces and Interfaces
  • Surfaces, Coatings and Films

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Structural-spectroscopic study of epitaxial GaAs layers grown on compliant substrates based on a superstructural layer and protoporous silicon». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать