Structural-spectroscopic study of epitaxial GaAs layers grown on compliant substrates based on a superstructural layer and protoporous silicon

P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, I. N. Arsentyev, D. N. Nikolayev, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, Harald Leiste, Tatiana Prutskij

Результат исследований: Вклад в журналСтатьярецензирование

Язык оригиналаАнглийский
Номер статьи147985
Число страниц13
ЖурналApplied Surface Science
Том537
DOI
СостояниеОпубликовано - 30 янв 2021

Предметные области ASJC Scopus

  • Condensed Matter Physics
  • Physics and Astronomy(all)
  • Surfaces, Coatings and Films
  • Chemistry(all)
  • Surfaces and Interfaces

Предметные области WoS

  • Химия, Физическая
  • Материаловедение, Покрытия и пленки
  • Физика, Прикладная
  • Физика, Конденсированных сред

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «Structural-spectroscopic study of epitaxial GaAs layers grown on compliant substrates based on a superstructural layer and protoporous silicon». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать