Temperature dependence of photoluminescence of semiconductor quantum dots upon indirect excitation in a SiO2 dielectric matrix

Результат исследований: Вклад в журналСтатья

1 Цитирования (Scopus)
Язык оригиналаАнглийский
Страницы (с-по)1601-1606
Число страниц6
ЖурналPhysics of the Solid State
Том57
Номер выпуска8
DOI
СостояниеОпубликовано - авг 2015

Предметные области ASJC Scopus

  • Condensed Matter Physics
  • Electronic, Optical and Magnetic Materials

ГРНТИ

  • 29.00.00 ФИЗИКА

Уровень публикации

  • Перечень ВАК

Цитировать