Towards understanding the origin of the hysteresis effects and threshold voltage shift in organic field-effect transistors based on the electrochemically grown AlOx dielectric

Lidiya I. Leshanskaya; Nadezhda N. Dremova; Sergey Yu Luchkin; Ivan S. Zhidkov; Seif O. Cholakh; Ernst Z. Kurmaev; Keith J. Stevenson; Pavel A. Troshin

doi:10.1016/j.tsf.2018.01.014

Towards understanding the origin of the hysteresis effects and threshold voltage shift in organic field-effect transistors based on the electrochemically grown AlO_x dielectric

Lidiya I. Leshanskaya, Nadezhda N. Dremova, Sergey Yu Luchkin, Ivan S. Zhidkov, Seif O. Cholakh, Ernst Z. Kurmaev, Keith J. Stevenson, Pavel A. Troshin

Результат исследований: Вклад в журнал › Статья

1 Цитирования (Scopus)

Язык оригинала	Английский
Страницы (с-по)	7-11
Число страниц	5
Журнал	Thin Solid Films
Том	649
DOI	https://doi.org/10.1016/j.tsf.2018.01.014
Состояние	Опубликовано - 1 мар 2018

Предметные области ASJC Scopus

Electronic, Optical and Magnetic Materials
Surfaces and Interfaces
Surfaces, Coatings and Films
Metals and Alloys
Materials Chemistry

Предметные области WoS

Материаловедение, Междисциплинарные труды
Материаловедение, Покрытия и пленки
Физика, Прикладная
Физика, Конденсированных сред

Ссылки

10.1016/j.tsf.2018.01.014

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Towards understanding the origin of the hysteresis effects and threshold voltage shift in organic field-effect transistors based on the electrochemically grown AlO<sub>x</sub> dielectric». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

1 Активно

Научная лаборатория «Ионно-пучковых и плазменных технологий для создания новых функциональных материалов и покрытий»
Чолах, С. О., Жидков, И. С., Кухаренко, А. И., Судовых, Н. И., Курмаев, Э. З., Коротин, Д. М., Скориков, Н. А., Комарский, А. А., Малкин, А. И., Жидкова, Н. Г., Черепанов, А. Н., Павличенко, Н. Ю., Овчинников, В. В., Медведев, А. И., Гусев, А. И., Шмелев, Д. Л., Никулин, С. П. & Соломонов, В. И.
04/01/2014 → …
Проект: Исследование › Научная лаборатория

Цитировать

Leshanskaya, L. I., Dremova, N. N., Luchkin, S. Y., Zhidkov, I. S., Cholakh, S. O., Kurmaev, E. Z., Stevenson, K. J., & Troshin, P. A. (2018). Towards understanding the origin of the hysteresis effects and threshold voltage shift in organic field-effect transistors based on the electrochemically grown AlO_x dielectric. Thin Solid Films, 649, 7-11. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2018.01.014

Leshanskaya, Lidiya I. ; Dremova, Nadezhda N. ; Luchkin, Sergey Yu ; Zhidkov, Ivan S. ; Cholakh, Seif O. ; Kurmaev, Ernst Z. ; Stevenson, Keith J. ; Troshin, Pavel A. / Towards understanding the origin of the hysteresis effects and threshold voltage shift in organic field-effect transistors based on the electrochemically grown AlO_x dielectric. В: Thin Solid Films. 2018 ; Том 649. стр. 7-11.

@article{e82ec3f9ab0a41198d65fd209ee3f8c1,

title = "Towards understanding the origin of the hysteresis effects and threshold voltage shift in organic field-effect transistors based on the electrochemically grown AlOx dielectric",

keywords = "Aluminum oxide, Anodization, Dielectric, Hysteresis, Organic field-effect transistor",

author = "Leshanskaya, {Lidiya I.} and Dremova, {Nadezhda N.} and Luchkin, {Sergey Yu} and Zhidkov, {Ivan S.} and Cholakh, {Seif O.} and Kurmaev, {Ernst Z.} and Stevenson, {Keith J.} and Troshin, {Pavel A.}",

year = "2018",

month = mar,

day = "1",

doi = "10.1016/j.tsf.2018.01.014",

language = "English",

volume = "649",

pages = "7--11",

journal = "Thin Solid Films",

issn = "0040-6090",

publisher = "Elsevier BV",

}

Leshanskaya, LI, Dremova, NN, Luchkin, SY, Zhidkov, IS , Cholakh, SO , Kurmaev, EZ, Stevenson, KJ & Troshin, PA 2018, 'Towards understanding the origin of the hysteresis effects and threshold voltage shift in organic field-effect transistors based on the electrochemically grown AlO_x dielectric', Thin Solid Films, том. 649, стр. 7-11. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2018.01.014

Towards understanding the origin of the hysteresis effects and threshold voltage shift in organic field-effect transistors based on the electrochemically grown AlO_x dielectric. / Leshanskaya, Lidiya I.; Dremova, Nadezhda N.; Luchkin, Sergey Yu; Zhidkov, Ivan S.; Cholakh, Seif O.; Kurmaev, Ernst Z.; Stevenson, Keith J.; Troshin, Pavel A.

В: Thin Solid Films, Том 649, 01.03.2018, стр. 7-11.

Результат исследований: Вклад в журнал › Статья

TY - JOUR

T1 - Towards understanding the origin of the hysteresis effects and threshold voltage shift in organic field-effect transistors based on the electrochemically grown AlOx dielectric

AU - Leshanskaya, Lidiya I.

AU - Dremova, Nadezhda N.

AU - Luchkin, Sergey Yu

AU - Zhidkov, Ivan S.

AU - Cholakh, Seif O.

AU - Kurmaev, Ernst Z.

AU - Stevenson, Keith J.

AU - Troshin, Pavel A.

PY - 2018/3/1

Y1 - 2018/3/1

KW - Aluminum oxide

KW - Anodization

KW - Dielectric, Hysteresis

KW - Organic field-effect transistor

UR - http://www.scopus.com/inward/record.url?scp=85041471527&partnerID=8YFLogxK

UR - https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=tsmetrics&SrcApp=tsm_test&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&KeyUT=000427524100002

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=35495419

U2 - 10.1016/j.tsf.2018.01.014

DO - 10.1016/j.tsf.2018.01.014

M3 - Article

AN - SCOPUS:85041471527

VL - 649

SP - 7

EP - 11

JO - Thin Solid Films

JF - Thin Solid Films

SN - 0040-6090