Towards understanding the origin of the hysteresis effects and threshold voltage shift in organic field-effect transistors based on the electrochemically grown AlOx dielectric

Lidiya I. Leshanskaya; Nadezhda N. Dremova; Sergey Yu Luchkin; Ivan S. Zhidkov; Seif O. Cholakh; Ernst Z. Kurmaev; Keith J. Stevenson; Pavel A. Troshin

doi:10.1016/j.tsf.2018.01.014

Towards understanding the origin of the hysteresis effects and threshold voltage shift in organic field-effect transistors based on the electrochemically grown AlO_x dielectric

Lidiya I. Leshanskaya, Nadezhda N. Dremova, Sergey Yu Luchkin, Ivan S. Zhidkov, Seif O. Cholakh, Ernst Z. Kurmaev, Keith J. Stevenson, Pavel A. Troshin

Результат исследований: Вклад в журнал › Статья › рецензирование

4 Цитирования (Scopus)

Язык оригинала	Английский
Страницы (с-по)	7-11
Число страниц	5
Журнал	Thin Solid Films
Том	649
DOI	https://doi.org/10.1016/j.tsf.2018.01.014
Состояние	Опубликовано - 1 мар. 2018

Предметные области ASJC Scopus

Electronic, Optical and Magnetic Materials
Surfaces and Interfaces
Surfaces, Coatings and Films
Metals and Alloys
Materials Chemistry

Предметные области WoS

Материаловедение, Междисциплинарные труды
Материаловедение, Покрытия и пленки
Физика, Прикладная
Физика, Конденсированных сред

Ссылки

10.1016/j.tsf.2018.01.014

Другие файлы и ссылки

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «Towards understanding the origin of the hysteresis effects and threshold voltage shift in organic field-effect transistors based on the electrochemically grown AlO_x dielectric». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

1 Активно

Научная лаборатория «Ионно-пучковых и плазменных технологий для создания новых функциональных материалов и покрытий»
Чолах, С. О., Жидков, И. С., Кухаренко, А. И., Судовых, Н. И., Курмаев, Э. З., Коротин, Д. М., Скориков, Н. А., Комарский, А. А., Малкин, А. И., Жидкова, Н. Г., Черепанов, А. Н., Павличенко, Н. Ю., Овчинников, В. В., Медведев, А. И., Гусев, А. И., Шмелев, Д. Л., Никулин, С. П. & Соломонов, В. И.
04/01/2014 → …
Проект: Исследование › Научная лаборатория

Цитировать

Leshanskaya, L. I., Dremova, N. N., Luchkin, S. Y., Zhidkov, I. S., Cholakh, S. O., Kurmaev, E. Z., Stevenson, K. J., & Troshin, P. A. (2018). Towards understanding the origin of the hysteresis effects and threshold voltage shift in organic field-effect transistors based on the electrochemically grown AlO_x dielectric. Thin Solid Films, 649, 7-11. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2018.01.014

Leshanskaya, Lidiya I. ; Dremova, Nadezhda N. ; Luchkin, Sergey Yu ; Zhidkov, Ivan S. ; Cholakh, Seif O. ; Kurmaev, Ernst Z. ; Stevenson, Keith J. ; Troshin, Pavel A. / Towards understanding the origin of the hysteresis effects and threshold voltage shift in organic field-effect transistors based on the electrochemically grown AlO_x dielectric. В: Thin Solid Films. 2018 ; Том 649. стр. 7-11.

@article{e82ec3f9ab0a41198d65fd209ee3f8c1,

title = "Towards understanding the origin of the hysteresis effects and threshold voltage shift in organic field-effect transistors based on the electrochemically grown AlOx dielectric",

keywords = "Aluminum oxide, Anodization, Dielectric, Hysteresis, Organic field-effect transistor",

author = "Leshanskaya, {Lidiya I.} and Dremova, {Nadezhda N.} and Luchkin, {Sergey Yu} and Zhidkov, {Ivan S.} and Cholakh, {Seif O.} and Kurmaev, {Ernst Z.} and Stevenson, {Keith J.} and Troshin, {Pavel A.}",

year = "2018",

month = mar,

day = "1",

doi = "10.1016/j.tsf.2018.01.014",

language = "English",

volume = "649",

pages = "7--11",

journal = "Thin Solid Films",

issn = "0040-6090",

publisher = "Elsevier BV",

}

Leshanskaya, LI, Dremova, NN, Luchkin, SY, Zhidkov, IS , Cholakh, SO , Kurmaev, EZ, Stevenson, KJ & Troshin, PA 2018, 'Towards understanding the origin of the hysteresis effects and threshold voltage shift in organic field-effect transistors based on the electrochemically grown AlO_x dielectric', Thin Solid Films, том. 649, стр. 7-11. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2018.01.014

Towards understanding the origin of the hysteresis effects and threshold voltage shift in organic field-effect transistors based on the electrochemically grown AlO_x dielectric. / Leshanskaya, Lidiya I.; Dremova, Nadezhda N.; Luchkin, Sergey Yu; Zhidkov, Ivan S.; Cholakh, Seif O.; Kurmaev, Ernst Z.; Stevenson, Keith J.; Troshin, Pavel A.

В: Thin Solid Films, Том 649, 01.03.2018, стр. 7-11.

Результат исследований: Вклад в журнал › Статья › рецензирование

TY - JOUR

T1 - Towards understanding the origin of the hysteresis effects and threshold voltage shift in organic field-effect transistors based on the electrochemically grown AlOx dielectric

AU - Leshanskaya, Lidiya I.

AU - Dremova, Nadezhda N.

AU - Luchkin, Sergey Yu

AU - Zhidkov, Ivan S.

AU - Cholakh, Seif O.

AU - Kurmaev, Ernst Z.

AU - Stevenson, Keith J.

AU - Troshin, Pavel A.

PY - 2018/3/1

Y1 - 2018/3/1

KW - Aluminum oxide

KW - Anodization

KW - Dielectric, Hysteresis

KW - Organic field-effect transistor

UR - http://www.scopus.com/inward/record.url?scp=85041471527&partnerID=8YFLogxK

UR - https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=tsmetrics&SrcApp=tsm_test&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&KeyUT=000427524100002

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=35495419

U2 - 10.1016/j.tsf.2018.01.014

DO - 10.1016/j.tsf.2018.01.014

M3 - Article

AN - SCOPUS:85041471527

VL - 649

SP - 7

EP - 11

JO - Thin Solid Films

JF - Thin Solid Films

SN - 0040-6090

ER -