Towards understanding the origin of the hysteresis effects and threshold voltage shift in organic field-effect transistors based on the electrochemically grown AlOx dielectric

Lidiya I. Leshanskaya, Nadezhda N. Dremova, Sergey Yu Luchkin, Ivan S. Zhidkov, Seif O. Cholakh, Ernst Z. Kurmaev, Keith J. Stevenson, Pavel A. Troshin

Результат исследований: Вклад в журналСтатья

1 Цитирования (Scopus)
Язык оригиналаАнглийский
Страницы (с-по)7-11
Число страниц5
ЖурналThin Solid Films
Том649
DOI
СостояниеОпубликовано - 1 мар 2018

Предметные области ASJC Scopus

  • Electronic, Optical and Magnetic Materials
  • Surfaces and Interfaces
  • Surfaces, Coatings and Films
  • Metals and Alloys
  • Materials Chemistry

Предметные области WoS

  • Материаловедение, Междисциплинарные труды
  • Материаловедение, Покрытия и пленки
  • Физика, Прикладная
  • Физика, Конденсированных сред

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Towards understanding the origin of the hysteresis effects and threshold voltage shift in organic field-effect transistors based on the electrochemically grown AlO<sub>x</sub> dielectric». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать