Weak localization in Alx Ga1-x As/GaAs/ Alx Ga1-x As heterostructures with electrostatically induced random antidot array

Результат исследований: Вклад в журналСтатья

2 Цитирования (Scopus)
Язык оригиналаАнглийский
Номер статьи195319
ЖурналPhysical Review B - Condensed Matter and Materials Physics
Том78
Номер выпуска19
DOI
СостояниеОпубликовано - 19 ноя 2008

Предметные области ASJC Scopus

  • Electronic, Optical and Magnetic Materials
  • Condensed Matter Physics

Предметные области WoS

  • Материаловедение, Междисциплинарные труды
  • Физика, Прикладная
  • Физика, Конденсированных сред

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «Weak localization in Alx Ga1-x As/GaAs/ Alx Ga1-x As heterostructures with electrostatically induced random antidot array». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать