XXIII МЕЖДУНАРОДНЫЙ СИМПОЗИУМ НАНОФИЗИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА", НИЖНИЙ НОВГОРОД, 11-14 МАРТА 2019 Г. ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ С GAAS/GAP-КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ, ВЫРАЩЕННЫЕ НА SI-ПОДЛОЖКАХ

Д. С. Абрамкин, M. O. Петрушков, M. A. Путято, Б. Р. Семягин, E. A. Емельянов, В. В. Преображенский, A. K. Гутаковский, Т. С. Шамирзаев

Результат исследований: Вклад в журналСтатья

Аннотация

Методом молекулярно-лучевой эпитаксии получены гибридные GaP/Si-подложки, позволяющие выращивать высокоэффективные светоизлучающие гетероструктуры с GaAs/GaP-квантовыми ямами. Несмотря на относительно высокую концентрацию центров безызлучательной рекомбинации в слоях GaP/Si, гетероструктуры с GaAs/GaP-квантовыми ямами, выращенные на гибридных GaP/Si подложках, не уступают в эффективности и температурной стабильности люминесценции аналогичным гетероструктурам, выращенным на согласованных GaP-подложках. Ключевые слова: гибридные подложки, фотолюминесценция, GaP на Si, молекулярно-лучевая эпитаксия, квантовые ямы.
Язык оригиналаРусский
Страницы (с-по)1167-1171
Число страниц5
ЖурналФизика и техника полупроводников
Том53
Номер выпуска9
DOI
СостояниеОпубликовано - 2019

ГРНТИ

  • 29.00.00 ФИЗИКА

Уровень публикации

  • Перечень ВАК

Fingerprint Подробные сведения о темах исследования «XXIII МЕЖДУНАРОДНЫЙ СИМПОЗИУМ НАНОФИЗИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА", НИЖНИЙ НОВГОРОД, 11-14 МАРТА 2019 Г. ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ С GAAS/GAP-КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ, ВЫРАЩЕННЫЕ НА SI-ПОДЛОЖКАХ». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

  • Цитировать