РЕЛАКСАЦИОННОЕ И РЕЗОНАНСНОЕ ПОГЛОЩЕНИЕ УЛЬТРАЗВУКА ЯН-ТЕЛЛЕРОВСКИМИ ЦЕНТРАМИ В КРИСТАЛЛЕ GAAS:CU

科研成果: Article

摘要

Экспериментально исследовано взаимодействие ультразвука с комплексами CuGa4As в кристалле GaAs:Cu. Измерены температурные зависимости поглощения всех нормальных ультразвуковых мод, распространяющихся в направлении <110>, как в легированных медью, так и в номинально чистых кристаллах арсенида галлия. В кристалле GaAs:Cu обнаружен пик поглощения для поперечной волны, поляризованной вдоль оси <110>, упругие смещения которой соответствуют симметрии тетрагональной моды эффекта Яна-Теллера. Характер температурной зависимости поглощения этой волны свидетельствует о том, что имеет место поглощение двух типов: релаксационное и резонансное. Построена температурная зависимость времени релаксации, свидетельствующая о том, что при температурах ниже 10 К основным механизмом релаксации является туннелирование через потенциальный барьер между минимумами адиабатического потенциала. На основе экспериментальных данных получена оценка величины туннельного расщепления, которая находится в хорошем согласии с теоретической.
源语言Russian
页(从-至)252-256
期刊Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
96
3-4
Published - 2012

GRNTI

  • 29.00.00 PHYSICS

Level of Research Output

  • VAK List

引用此