ЭФФЕКТЫ ТУННЕЛИРОВАНИЯ В НАКЛОННЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЯХ В СТРУКТУРАХ N-INGAAS/GAAS C ДВОЙНЫМИ СИЛЬНО-СВЯЗАННЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ

Юрий Г. Арапов; С.В. Гудина; А. С. Клепикова; Владимир Н. Неверов; Сергей Михайлович Подгорных; Михаил Викторович Якунин; Б. Н. Звонков

ЭФФЕКТЫ ТУННЕЛИРОВАНИЯ В НАКЛОННЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЯХ В СТРУКТУРАХ N-INGAAS/GAAS C ДВОЙНЫМИ СИЛЬНО-СВЯЗАННЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ

Юрий Г. Арапов, С.В. Гудина, А. С. Клепикова, Владимир Н. Неверов, Сергей Михайлович Подгорных, Михаил Викторович Якунин, Б. Н. Звонков

科研成果: Article

摘要

В работе представлены результаты исследования эффектов туннелирования между двумя параллельными двумерными электронными газами в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двойными сильно-связанными квантовыми ямами при изменении параллельной компоненты наклонного магнитного поля (до B||=9.0 Тл) в интервале температур T=1.8-70.0 K. Из анализа зависимостей продольного сопротивления от параллельной компоненты наклонного магнитного поля при фиксированных температурах rhoxx(B||,T) получена немонотонная температурная зависимость обратного квантового времени жизни tauq-1(T). Установлено, что квадратичный участок этой зависимости обусловлен вкладом от неупругого электрон-электронного рассеяния. Уменьшение обратного квантового времени жизни tauq-1(T) при T>0.1 TF известными теориями не описывается и, по-видимому, не связано с процессами релаксации импульса электронов.

源语言	Russian
页（从-至）	1457-1461
页数	5
期刊	Физика и техника полупроводников
卷	47
期	11
州	Published - 2013

GRNTI

29.00.00 PHYSICS

Level of Research Output

VAK List

访问文件

https://elibrary.ru/item.asp?id=20319601

引用此

Арапов, Ю. Г., Гудина, С. В., Клепикова, А. С., Неверов, В. Н., Подгорных, С. М., Якунин, М. В., & Звонков, Б. Н. (2013). ЭФФЕКТЫ ТУННЕЛИРОВАНИЯ В НАКЛОННЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЯХ В СТРУКТУРАХ N-INGAAS/GAAS C ДВОЙНЫМИ СИЛЬНО-СВЯЗАННЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ. Физика и техника полупроводников, 47(11), 1457-1461.

Арапов, Юрий Г. ; Гудина, С.В. ; Клепикова, А. С. ; Неверов, Владимир Н. ; Подгорных, Сергей Михайлович ; Якунин, Михаил Викторович ; Звонков, Б. Н. / ЭФФЕКТЫ ТУННЕЛИРОВАНИЯ В НАКЛОННЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЯХ В СТРУКТУРАХ N-INGAAS/GAAS C ДВОЙНЫМИ СИЛЬНО-СВЯЗАННЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ. 在: Физика и техника полупроводников. 2013 ; 卷 47, 号码 11. 页码 1457-1461.

@article{deb781da02c9476f8c9e1af1e8ce09be,

title = "ЭФФЕКТЫ ТУННЕЛИРОВАНИЯ В НАКЛОННЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЯХ В СТРУКТУРАХ N-INGAAS/GAAS C ДВОЙНЫМИ СИЛЬНО-СВЯЗАННЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ",

abstract = "В работе представлены результаты исследования эффектов туннелирования между двумя параллельными двумерными электронными газами в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двойными сильно-связанными квантовыми ямами при изменении параллельной компоненты наклонного магнитного поля (до B||=9.0 Тл) в интервале температур T=1.8-70.0 K. Из анализа зависимостей продольного сопротивления от параллельной компоненты наклонного магнитного поля при фиксированных температурах rhoxx(B||,T) получена немонотонная температурная зависимость обратного квантового времени жизни tauq-1(T). Установлено, что квадратичный участок этой зависимости обусловлен вкладом от неупругого электрон-электронного рассеяния. Уменьшение обратного квантового времени жизни tauq-1(T) при T>0.1 TF известными теориями не описывается и, по-видимому, не связано с процессами релаксации импульса электронов.",

author = "Арапов, {Юрий Г.} and С.В. Гудина and Клепикова, {А. С.} and Неверов, {Владимир Н.} and Подгорных, {Сергей Михайлович} and Якунин, {Михаил Викторович} and Звонков, {Б. Н.}",

year = "2013",

language = "Русский",

volume = "47",

pages = "1457--1461",

journal = "Физика и техника полупроводников",

issn = "0015-3222",

publisher = "Издательство {"}Наука{"}",

number = "11",

}

Арапов, ЮГ, Гудина, СВ, Клепикова, АС, Неверов, ВН, Подгорных, СМ , Якунин, МВ & Звонков, БН 2013, 'ЭФФЕКТЫ ТУННЕЛИРОВАНИЯ В НАКЛОННЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЯХ В СТРУКТУРАХ N-INGAAS/GAAS C ДВОЙНЫМИ СИЛЬНО-СВЯЗАННЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ', Физика и техника полупроводников, 卷 47, 号码 11, 页码 1457-1461.

ЭФФЕКТЫ ТУННЕЛИРОВАНИЯ В НАКЛОННЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЯХ В СТРУКТУРАХ N-INGAAS/GAAS C ДВОЙНЫМИ СИЛЬНО-СВЯЗАННЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ. / Арапов, Юрий Г.; Гудина, С.В.; Клепикова, А. С.; Неверов, Владимир Н.; Подгорных, Сергей Михайлович ; Якунин, Михаил Викторович; Звонков, Б. Н.

在: Физика и техника полупроводников, 卷 47, 号码 11, 2013, 页码 1457-1461.

科研成果: Article

TY - JOUR

T1 - ЭФФЕКТЫ ТУННЕЛИРОВАНИЯ В НАКЛОННЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЯХ В СТРУКТУРАХ N-INGAAS/GAAS C ДВОЙНЫМИ СИЛЬНО-СВЯЗАННЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ

AU - Арапов, Юрий Г.

AU - Гудина, С.В.

AU - Клепикова, А. С.

AU - Неверов, Владимир Н.

AU - Подгорных, Сергей Михайлович

AU - Якунин, Михаил Викторович

AU - Звонков, Б. Н.

PY - 2013

Y1 - 2013

N2 - В работе представлены результаты исследования эффектов туннелирования между двумя параллельными двумерными электронными газами в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двойными сильно-связанными квантовыми ямами при изменении параллельной компоненты наклонного магнитного поля (до B||=9.0 Тл) в интервале температур T=1.8-70.0 K. Из анализа зависимостей продольного сопротивления от параллельной компоненты наклонного магнитного поля при фиксированных температурах rhoxx(B||,T) получена немонотонная температурная зависимость обратного квантового времени жизни tauq-1(T). Установлено, что квадратичный участок этой зависимости обусловлен вкладом от неупругого электрон-электронного рассеяния. Уменьшение обратного квантового времени жизни tauq-1(T) при T>0.1 TF известными теориями не описывается и, по-видимому, не связано с процессами релаксации импульса электронов.

AB - В работе представлены результаты исследования эффектов туннелирования между двумя параллельными двумерными электронными газами в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двойными сильно-связанными квантовыми ямами при изменении параллельной компоненты наклонного магнитного поля (до B||=9.0 Тл) в интервале температур T=1.8-70.0 K. Из анализа зависимостей продольного сопротивления от параллельной компоненты наклонного магнитного поля при фиксированных температурах rhoxx(B||,T) получена немонотонная температурная зависимость обратного квантового времени жизни tauq-1(T). Установлено, что квадратичный участок этой зависимости обусловлен вкладом от неупругого электрон-электронного рассеяния. Уменьшение обратного квантового времени жизни tauq-1(T) при T>0.1 TF известными теориями не описывается и, по-видимому, не связано с процессами релаксации импульса электронов.

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=20319601

M3 - Статья

VL - 47

SP - 1457

EP - 1461

JO - Физика и техника полупроводников

JF - Физика и техника полупроводников

SN - 0015-3222

IS - 11

ER -

Арапов ЮГ, Гудина СВ, Клепикова АС, Неверов ВН, Подгорных СМ , Якунин МВ 等. ЭФФЕКТЫ ТУННЕЛИРОВАНИЯ В НАКЛОННЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЯХ В СТРУКТУРАХ N-INGAAS/GAAS C ДВОЙНЫМИ СИЛЬНО-СВЯЗАННЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ. Физика и техника полупроводников. 2013;47(11):1457-1461.